اطلاعیه دفاع دانشجوی کارشناسی ارشد - سمیه قاسمیان
بسمه تعالی
گروه مهندسی برق
اطلاعیه دفاع پایاننامه کارشناسی ارشد
بررسی خواص ساختاری و الکترونیکی ماده ناهمگون دوبعدی In2Se3 و Sb2Se2Te
ارائه دهنده: سمیه قاسمیان
زمان: سهشنبه 27 شهریور 1403 ساعت 18 مکان: ساختمان اصلی کلاس 112
استاد راهنما: جناب آقای دکتر شعیب بابایی توسکی مرتبه علمی: استادیار دانشگاه: صنعتی همدان
استاد داور داخلی: جناب آقای دکتر علیرضا کوکبی مرتبه علمی: دانشیار انشگاه: صنعتی همدان
استاد داور خارجی: جناب آقای دکتر سید منوچهر حسینی مرتبه علمی: استادیار دانشگاه: بوعلی همدان
چکیده:
در این پایاننامه، خواص ساختاری، مکانیکی، الکترونیکی و اسپینی ماده ناهمگون متشکل از تکلایههای Sb2Se2Te و In2Se3 با استفاده از نظریه تابعی چگالی بررسی گردیده است. دو بعدی In2Se3 در فاز α یک فروالکتریک با دو قطبش در جهتهای مخالف است که بهعنوان زیرلایه استفاده شده است. ماده ناهمگون Sb2Se2Te یک ماده با ضخامت چنداتمی است که بسته به اینکه اتم Te در چه مکانی قرار بگیرد سه ساختار متفاوت ایجاد میگردد. از روی هم قرار گرفتن این دو ماده در حالتهای مختلف شش ساختار متمایز حاصل میشود. تک لایههای In2Se3 و Sb2Se2Te با دو الگوی AA و AB بهصورت عمودی بر روی یکدیگر قرارگرفتهاند که شبیهسازی این دو ساختار از ماده نشان میدهد که شکاف انرژی در هر دو ساختار غیرمستقیم است. با توجه به سطح انرژی پایینتر در ساختار AB، انتظار میرود این ساختار نسبت به ساختار AA از لحاظ مکانیکی پایدارتر باشد. مشخصات ساختار باند این ماده، یک نیمههادی فروالکتریک دوبعدی را معرفی مینماید که در افزارههای کممصرف، جمعآوری/تبدیل انرژی نور مادونقرمز کاربرد دارد. سوئیچینگ فروالکتریک در زیرلایه شکاف انرژی را تغییر داده و امکان مهندسی ساختار باند از طریق تغییر قطبش ماده فراهم میگردد. مهمتر آنکه، نتایج حاصل نشان میدهد وجود میدان الکتریکی داخلی منجر به شکافتن اسپین راشبا در لبه باند هدایت در نقطه Γ میگردد. این حالتهای راشبا در باند هدایت به بهرهگیری از این ماده در فناوریهای نوین کمک میکند. اثر راشبا نویدبخش پیشرفتهای گسترده در کاربردهای اسپینترونیک با استفاده از مواد دوبعدی است.