بسمه تعالی

گروه مهندسی برق

اطلاعیه دفاع پایان‌نامه کارشناسی ارشد

بررسی خواص ساختاری و الکترونیکی ماده ناهمگون دوبعدی In2Se3 و Sb2Se2Te

ارائه ­دهنده: سمیه قاسمیان

زمان: سه­شنبه 27 شهریور 1403 ساعت 18     مکان: ساختمان اصلی کلاس 112

استاد راهنما: جناب آقای دکتر شعیب بابایی توسکی    مرتبه علمی: استادیار دانشگاه: صنعتی همدان

استاد داور داخلی: جناب آقای دکتر علیرضا کوکبی مرتبه علمی: دانشیار انشگاه: صنعتی همدان

استاد داور خارجی: جناب آقای دکتر سید منوچهر حسینی مرتبه علمی: استادیار دانشگاه: بوعلی همدان

چکیده:

در این پایان­نامه، خواص ساختاری، مکانیکی، الکترونیکی و اسپینی ماده ناهمگون متشکل از تک‌لایه‌های Sb2Se2Te و  In2Se3 با استفاده از نظریه تابعی چگالی بررسی گردیده است. دو بعدی In2Se3 در فاز α یک فروالکتریک با دو قطبش در جهت­های مخالف است که به‌عنوان زیرلایه استفاده شده است. ماده ناهمگون Sb2Se2Te یک ماده با ضخامت چنداتمی است که بسته به اینکه اتم Te در چه مکانی قرار بگیرد سه ساختار متفاوت ایجاد می­گردد. از روی هم قرار گرفتن این دو ماده در حالت­های مختلف شش ساختار متمایز حاصل می­شود. تک لایه‌های In2Se3 و Sb2Se2Te با دو الگوی AA و AB به‌صورت عمودی بر روی یکدیگر قرارگرفته‌اند که شبیه­سازی این دو ساختار از ماده نشان می­دهد که شکاف انرژی در هر دو ساختار غیرمستقیم است. با توجه به سطح انرژی پایین­تر در ساختار AB، انتظار می­رود این ساختار نسبت به ساختار AA از لحاظ مکانیکی پایدارتر باشد. مشخصات ساختار باند این ماده، یک نیمه‌هادی فروالکتریک دوبعدی را معرفی می­نماید که در افزاره­های کم‌مصرف، جمع‌آوری/تبدیل انرژی نور مادون‌قرمز کاربرد دارد. سوئیچینگ فروالکتریک در زیرلایه شکاف انرژی را تغییر داده و امکان مهندسی ساختار باند از طریق تغییر قطبش ماده فراهم می­گردد. مهم­تر آنکه، نتایج حاصل نشان می­دهد وجود میدان الکتریکی داخلی منجر به شکافتن اسپین راشبا در لبه باند هدایت در نقطه Γ می­گردد. این حالت­های راشبا در باند هدایت به بهره­گیری از این ماده در فناوری­های نوین کمک می­کند. اثر راشبا نویدبخش پیشرفت­های گسترده در کاربردهای اسپینترونیک با استفاده از مواد دوبعدی است.